Circuito integrado SFH6345 Ver maior

Apenas Online

Circuito integrado SFH6345

SFH6345

Produto novo

Circuito integrado SFH6345

Mais detalhes

Este produto não está mais em estoque

Cálculo do Frete

Aguardando CEP

R$ 99,00

Mais informações

Circuito integrado SFH6345

ACOPLADOR DE 5,3 kV DE ALTA VELOCIDADE
CARACTERÍSTICAS
• Substituição direta para o HCPL4503
• Acoplador ótico de alta velocidade sem conexão de base
• Emissor GaAlAs
• Detector Integrado com Fotodiodo e Transistor
• Alta taxa de transmissão de dados: 1 MBit / s
• Compatível com TTL
• Saída de Coletor Aberto
• CTR em IF = 16 mA, VO = 0,4 V, VCC = 4,5 V,
TA = 25 ° C: = 19%
• Boa Linearidade CTR Relativa à Corrente Forward
• Efeito de Campo Estável
• Baixa capacitância de acoplamento
• Imunidade Transiente de Modo Muito Alto Comum
dV / dt: =15 kV / µs a VCM = 1500 V
• Tensão de Teste de Isolamento: 5300 VACPK
• • VDE 0884 Disponível com a Opção 1
• Aprovação UL, Arquivo # E52744
APLICAÇÕES
• Comunicações de Dados
• Drivers IGBT
• Controladores Programáveis
DESCRIÇÃO
O SFH6345 é um optoacoplador com um infravermelho GaAlAs
diodo emissor, acoplado opticamente a um fotodetector integrado
consistindo de um fotodiodo e um transistor de alta velocidade
em um pacote de plástico DIP-8. O dispositivo é semelhante ao
6N135 mas tem um escudo Faraday adicional no detector
que aumenta a imunidade dv / dt de entrada / saída.
Os sinais podem ser transmitidos entre dois eletricamente separados
circuitos até frequências de 2 MHz. A diferença de potencial
entre os circuitos a serem acoplados não deve
exceda as tensões máximas de referência permitidas.
Classificações máximas absolutas
Emissor (GaAlAs)
Voltagem inversa................................................ ............................ 3 V
Corrente DC Forward ............................................... ................. 25 mA
Corrente à frente de surto ............................................... .................. 1 A
tp <1 µs, 300 pulsos / seg.
Dissipação total de energia............................................... ............ 45 mW
Detector (Si Fotodiodo + Transistor)
Tensão de Alimentação ................................................ .................. 0,5 a 30 V
Voltagem de saída ................................................ .............. - 0,5 a = 25 V
Corrente de saída................................................ ........................... 8 mA
Dissipação total de energia............................................... .......... 100 mW
Isolamento de Pacotes
Tensão de Teste de Isolamento
entre emissor e detector ..................................... 5300 VACPK
(refira o clima DIN 40046, parte 2, novembro 74)
Página de fuga ................................................. ....................... = 7 mm min.
Liberação ................................................. ...................... = 7 mm min.
Índice de Acompanhamento Comparativo
conforme DIN IEC 112 / VDE0303, parte 1 ......................................... =175
Resistência de isolamento
VIO = 500 V, TA = 25 ° C, RISOL ...................................... ......... =1012 O
VIO = 500 V, TA = 100 ° C, RISOL ...................................... =1011 ......
Faixa de temperatura de armazenamento ....................................... -55 a + 150 ° C
Faixa de temperatura ambiente ....................................... -55 a + 100 ° C
Temperatura de junção ................................................ .............. 100 ° C
Temperatura de soldagem (t = 10 seg. Máx.) ................................. 260 ° C
Solda por imersão: distância ao plano de assentos =1,5 mm

16 outros produtos na mesma categoria: