Circuito integrado TLP250 Ver maior

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Circuito integrado TLP250

TLP250

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Circuito integrado TLP250

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Circuito integrado TLP250

TRANSISTOR INVERTER FOR AIR CONDITIONOR IGBT GATE DRIVE POWER MOS FET GATE DRIVE

Inversor De Transistor
Inversor para ar condicionado
IGBT Gate Drive
Movimentação da porta do FET do MOS do poder
O TOSHIBA TLP250 consiste em um diodo emissor de luz GaAlAs e um
fotodetector integrado.
Esta unidade é um pacote DIP de 8 derivações.
O TLP250 é adequado para circuito de acionamento de gate de IGBT ou MOSFET de potência.
• Corrente limiar de entrada: IF = 5mA (máx.)
• Corrente de alimentação (ICC): 11mA (máx.)
• Tensão de alimentação (VCC): 10-35V
• Corrente de saída (IO): ± 1,5A (máx.)
• Tempo de comutação (tpLH / tpHL): 1,5µs (máx.)
• Tensão de isolamento: 2500Vrms (min.)
• Reconhecido pela UL: UL1577, nº de arquivoE67349
• Tipo de opção (D4)
  VDE aprovado: DIN VDE0884 / 06.92, certificado No.76823
  Tensão máxima de isolamento operacional: 630VPK
  Maior sobre tensão permitida: 4000VPK

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