Circuito integrado IR2010 SMD Ver maior

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Circuito integrado IR2010 SMD

IR2010 SMD

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Circuito integrado IR2010 SMD

EXCITADOR LATERAL ALTO E BAIXO
Características
• Canal flutuante projetado para operação de bootstrap
Totalmente operacional para 200V
Tolerante à tensão transiente negativa, dV / dt imune
• Faixa de oferta de acionamento por gaveta de 10 a 20V
• Bloqueio de subtensão para ambos os canais
• lógica 3.3V compatível
Escala de fornecimento lógico separado de 3.3V a 20V
Lógica e força de terra ± 5V offset
• Entradas disparadas por CMOS Schmitt com pull-down
• A entrada de desligamento desliga ambos os canais
• Atraso de propagação correspondente para ambos os canais
• Saídas em fase com insumos
Aplicações
• Amplificadores de Classe D de Áudio
• Conversores DC-DC SMPS de alta potência
• Outras aplicações de alta frequência
Descrição
O IR2010 é um MOSFET e um IGBT de alta potência, alta voltagem e alta velocidade
drivers com canais independentes de saída de alta e baixa referência, ideais para áudio
Aplicações de conversores de classe D e DC-DC. Entradas lógicas são compatíveis com o padrão
Saída CMOS ou LSTTL, até a lógica de 3.0V. Os drivers de saída apresentam um pulso alto
estágio de buffer atual projetado para condutor mínimo de condução cruzada. Atrasos de propagação
são combinados para simplificar o uso em aplicativos de alta freqüência. O canal flutuante
pode ser usado para acionar um MOSFET ou IGBT de alimentação do canal N na configuração do lado alto
que opera até 200 volts. Tecnologias proprietárias de CMOS imunes HVIC e trava
permitir construção monolítica robusta

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