Circuito integrado IR2112 Ver maior

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Circuito integrado IR2112

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Circuito integrado IR2112

HIGH AND LOW SIDE DRIVE
Características
• Canal flutuante projetado para operação de bootstrap
• Totalmente operacional para + 600V
• tolerante à tensão transitória negativa
dV / dt imune
• Faixa de oferta de acionamento por gaveta de 10 a 20V
• Bloqueio de subtensão para ambos os canais
• lógica 3.3V compatível
Escala de fornecimento lógico separado de 3.3V a 20V
Lógica e força de terra ± 5V offset
• Entradas disparadas por CMOS Schmitt com pull-down
• Lógica de desligamento do ciclo por ciclo
• Atraso de propagação correspondente para ambos os canais
• Saídas em fase com insumos
Description
The IR2112(S) is a high voltage, high speed power
MOSFET and IGBT driver with independent high and
low side referenced output channels. Proprietary HVIC
and latch immune CMOS technologies enable ruggedized
monolithic construction. Logic inputs are compatible
with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V logic.
The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction.
Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be
used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600
volts.

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